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Patent Information


Title
アモルファス酸化物半導体を活性層とした薄膜トランジスタ構造とその製造方法 
Author
HIDEO HOSONO, Kenji Nomura, TOSHIO KAMIYA.  
Kind
Patent 
Status
Registered 
Applicant
国立大学法人東京工業大学.  
Filing Date
2012/07/03
Application Number
特願2012-149286
Unexamined Application Date
2014/01/20
Publication Number
特開2014-011425
Registration Date
2016/06/10
Registration Number
特許第5946130号

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