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特許情報


発明の名称
ｐ-ｉ-ｎ型円偏光変調発光半導体素子及びレーザ素子 
発明者
宗片比呂夫, 田中　健一郎, 近藤剛.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2005/01/27
出願番号
特願2005-020427
公開日
2006/08/10
公開番号
特開2006-210626
登録日
2011/09/16
登録番号
特許第4820980号

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