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特許情報


発明の名称
スピン注入磁化反転ＭＴＪを用いた不揮発性ＳＲＡＭ／ラッチ回路 
発明者
山本修一郎, 菅原聡.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2008/07/31
出願番号
特願2009-530030
公開日
2010/11/25
公開番号
再表2009/028298
登録日
2013/01/11
登録番号
特許第5170706号

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