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特許情報


発明の名称
酸素添加ScN結晶薄膜、その製造方法、電極及び電子デバイス 
発明者
大橋直樹, 大垣 武, 坂口 勲, 渡邊 賢.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 国立研究開発法人 物質・材料研究機構.  
出願日
2013/08/29
出願番号
特願2013-178592
公開日
2015/03/16
公開番号
特開2015-048252
登録日
2017/10/20
登録番号
特許第6226457号

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