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特許情報


発明の名称
半導体素子の製造方法、半導体素子および透明導電膜 
発明者
小長井誠, 宮島晋介, 石川　亮佑.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 国立研究開発法人科学技術振興機構.  
出願日
2014/03/18
出願番号
特願2014-055402
公開日
2015/10/08
公開番号
特開2015-179695

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