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特許情報


発明の名称
磁性体とＢｉＳｂの積層構造の製造方法、磁気抵抗メモリ、純スピン注入源 
発明者
PHAMNAM HAI, NGUYEN HUYNH DUY KHANG.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2018/09/14
出願番号
特願2019-542310
公開日
2020/10/15
公開番号
再表2019-054484
登録日
2023/02/14
登録番号
特許第7227614号

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