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特許情報


発明の名称
磁気抵抗メモリ 
発明者
PHAMNAM HAI, 八尾　健一郎, 中野総一郎.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2019/09/26
出願番号
特願2019-176032
公開日
2021/04/08
公開番号
特開2021-057357

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