Home >

news ヘルプ

特許情報


発明の名称
ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 
発明者
PHAMNAM HAI, クアン レイ, チャーニー ファン, ブライアン アール ヨーク, タオ エー グエン, ジェン ガオ, クオック サン ホ.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京科学大学, Western Digital Technologies, Inc..  
出願日
2020/12/22
出願番号
特願2020-212229
公開日
2021/09/02
公開番号
特開2021-128814
登録日
2025/08/22
登録番号
特許第7731546号

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.