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特許情報


発明の名称
酸化ガリウム系半導体の製造方法 
発明者
大友明, 相馬拓人, 加渡　幹尚　.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学, トヨタ自動車株式会社.  
出願日
2020/09/17
出願番号
特願2020-156405
公開日
2022/03/30
公開番号
特開2022-050042
登録日
2024/04/22
登録番号
特許第7477407号
備考
権利存続

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