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特許情報


発明の名称
酸化ガリウム系半導体の製造方法 
発明者
大友明, 相馬拓人, 是石和樹, 加渡 幹尚.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学, トヨタ自動車株式会社.  
出願日
2022/08/25
出願番号
特願2022-134426
公開日
2024/03/07
公開番号
特開2024-031100

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