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特許情報
発明の名称
酸化ガリウム系半導体の製造方法
発明者
大友明
,
相馬拓人
,
是石和樹
, 加渡 幹尚.
種別
特許
状態
公開
出願人
国立大学法人東京工業大学, トヨタ自動車株式会社.
出願日
2022/08/25
出願番号
特願2022-134426
公開日
2024/03/07
公開番号
特開2024-031100
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