(GaAl)As/GaAs系へテロ接合型高能率電子デバイスの動作機構の解析ならびに開発に関する研究

Publication Information

Title

Japanese:	(GaAl)As/GaAs系へテロ接合型高能率電子デバイスの動作機構の解析ならびに開発に関する研究
English:

Author

Japanese:	小長井誠.
English:	MAKOTO KONAGAI.

Type

Type:	Thesis (Ph.D.)
Country:	Japan

Language

Japanese

Organization name

Tokyo Institute of Technology

Report number

甲第907号

Conferred date

1977/03/26

Judge

File