La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>をゲート絶縁膜に用いたMISFETにおけるポストメタライゼーションアニールの効果に関する検討 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	La₂O₃をゲート絶縁膜に用いたMISFETにおけるポストメタライゼーションアニールの効果に関する検討
英文:

著者

和文:	黒木裕介, 黄仁安, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋.
英文:	黒木裕介, 黄仁安, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集
英文:

巻, 号, ページ

pp. 686

出版年月

2004年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.