Growth of Strain Relaxed Si<sub>1-y</sub>C<sub>y</sub> on Si Buffer Layer by Gas-Source MBE

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Growth of Strain Relaxed Si_1-yC_y on Si Buffer Layer by Gas-Source MBE

著者

和文:	Masahiko Murano, Hanae Ishihara, Tatsuro Watahiki, Yoshio Nakamura, Akira Yamada, Makoto Konagai.
英文:	Masahiko Murano, Hanae Ishihara, Tatsuro Watahiki, Yoshio Nakamura, Akira Yamada, Makoto Konagai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)

巻, 号, ページ

pp. *

出版年月

2005年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)

開催地

和文:
英文:	Japan