Measurement of Gas Temperature in a SiH4/H2 Plasma under High-Rate Growth Conditions of Micro-Crystalline Silicon

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Measurement of Gas Temperature in a SiH4/H2 Plasma under High-Rate Growth Conditions of Micro-Crystalline Silicon

著者

和文:	S. Nunomura, H. Akatsuka, M. Kondo.
英文:	S. Nunomura, H. Akatsuka, M. Kondo.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	6th International Conference on Reactive Plasmas and 23rd Symposium on Plasma Processing

巻, 号, ページ

pp. 771-772

出版年月

2006年1月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	6th International Conference on Reactive Plasmas and 23rd Symposium on Plasma Processing (ICRP6/SPP23)

開催地

和文:
英文:	Matsushima, Miyagi, Japan