Study of La2O3 Gate Dielectric Suitability for Future MIM and MOSFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Study of La2O3 Gate Dielectric Suitability for Future MIM and MOSFETs

著者

和文:	K.Kakushima, P.Ahmet, J.A.Ng J.Molina, H.Sauddin, Y.Kuroki, K.Nakagawa, A.Fukuyama, K.Tachi, Y.Shiino, J.Song, K.Tsutsui, N.Sugii, T.Hattori, H.Iwai.
英文:	K.Kakushima, P.Ahmet, J.A.Ng J.Molina, H.Sauddin, Y.Kuroki, K.Nakagawa, A.Fukuyama, K.Tachi, Y.Shiino, J.Song, K.Tsutsui, N.Sugii, T.Hattori, H.Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	2006 IEEE Si Nanoelectronics Workshop

巻, 号, ページ

Vol. 1 No. 1 pp. 113

出版年月

2006年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:	Honolulu Hawaii