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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Heterojunction bipolar transistor fabrication using Si1-xGex selective epitaxial growth by gas source silicon molecular beam epitaxy 
著者
和文: 平山博之.  
英文: HIROYUKI HIRAYAMA.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Applied Physics Letters 
巻, 号, ページ Vol. 56        pp. 2645-2647
出版年月 1990年 
出版者
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会議名称
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開催地
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