High Quality Narrow Gap (~1.52eV) a-Si:H with Improved Stability Fabricated by Excited Inert Gas Treatment

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High Quality Narrow Gap (~1.52eV) a-Si:H with Improved Stability Fabricated by Excited Inert Gas Treatment

著者

和文:	H. Sato, K. Fukutani, W. Futako, T. Kamiya, C.M. Fortmann, I. Shimizu.
英文:	H. Sato, K. Fukutani, W. Futako, T. Kamiya, C.M. Fortmann, I. Shimizu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference Technical Digest

巻, 号, ページ

出版年月

1999年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: