The Effect of Nitorogen in a P+ Polysilicon Gate on Boron Penetration through the Gate Oxide

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	The Effect of Nitorogen in a P+ Polysilicon Gate on Boron Penetration through the Gate Oxide

著者

和文:	Satoshi Nakayama, Tetsushi Sakai.
英文:	Satoshi Nakayama, Tetsushi Sakai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal Electrochemical Society

巻, 号, ページ

Vol. 144 No. 12 pp. 4326-4330

出版年月

1997年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: