T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Heavily P-doped(>10²¹cm^{-3-)Si and SiGe Film Grown by Photo-CVD at 250}o^C

著者

和文:	山田明.
英文:	AKIRA YAMADA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Electronic. Mat.

巻, 号, ページ

Vol. 19 pp. 10

出版年月

1990年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

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