Self-Aligned 10-nm Barrier Formation Technology for Fully-Self-Aligned Metallization Metal -Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Self-Aligned 10-nm Barrier Formation Technology for Fully-Self-Aligned Metallization Metal -Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor

著者

和文:	H. Matsuhashi, A. Gotoh, C. H. Lee, M. Yokoyama, K. Masu, K. Tsubouchi.
英文:	H. Matsuhashi, A. Gotoh, C. H. Lee, M. Yokoyama, K. Masu, K. Tsubouchi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 37 No. 6A pp. 3264-3267

出版年月

1998年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: