1.15μm lasing operation of highly strained GaInAs/GaAs on GaAs (311)B substrate with high characteristic temperature (T<sub>0</sub>=210 K)

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	1.15μm lasing operation of highly strained GaInAs/GaAs on GaAs (311)B substrate with high characteristic temperature (T₀=210 K)

著者

和文:	西山伸彦, 荒井昌和, 品田聡, 宮本智之, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	Nobuhiko Nishiyama, Masakazu Arai, Satoshi Shinada, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama, Kenichi Iga.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

vol. 39 no. 10B pp. L1046-L1047

出版年月

2000年10月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI