Study on mechanism of re-entrant RHEED oscillation observed during LT-MBE growth of GaAs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Study on mechanism of re-entrant RHEED oscillation observed during LT-MBE growth of GaAs

著者

和文:	A. Nagashima, M. Tajima, J. Yoshino.
英文:	A. Nagashima, M. Tajima, J. Yoshino.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	28th International symposium on compound semiconductors, MoP22, Abstracts

巻, 号, ページ

pp. 34

出版年月

2001年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

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英文: