中性子照射によりβ-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>中に形成された第二のタイプの格子欠陥構造解析 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	中性子照射によりβ-Si₃N₄中に形成された第二のタイプの格子欠陥構造解析
英文:

著者

和文:	秋吉優史, 矢野豊彦.
英文:	秋吉優史, 矢野豊彦.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	日本原子力学会2001年春の年会要旨集第I分冊
英文:

巻, 号, ページ

Vol. E22 pp. 185

出版年月

2001年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文:

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