Growth behavior and microstructure of Co-Ge films prepared on GaAs substrate by high-temperature sequential deposition

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Growth behavior and microstructure of Co-Ge films prepared on GaAs substrate by high-temperature sequential deposition

著者

和文:	J.Shi, D.Ishi, M.Hashimoto, A.Barna, Y.Haga, O.Nittono.
英文:	J.Shi, D.Ishi, M.Hashimoto, A.Barna, Y.Haga, O.Nittono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J.Cryst.Growth

巻, 号, ページ

Vol. 222 pp. 235-242

出版年月

2001年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: