Self-Aligned Barrier Layer Formation for Fully-Self-Aligned Metallization MOSFET

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Self-Aligned Barrier Layer Formation for Fully-Self-Aligned Metallization MOSFET

著者

和文:	H. Matsuhashi, A. Gotoh, M. Yokoyama, K. Masu, K. Tsubouchi.
英文:	H. Matsuhashi, A. Gotoh, M. Yokoyama, K. Masu, K. Tsubouchi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Proceedings of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1996

巻, 号, ページ

pp. 253-256

出版年月

1997年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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