原子レベルで制御する高誘電率ゲート酸化膜のMOCVD成長と分光エリプソメトリ観察 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	原子レベルで制御する高誘電率ゲート酸化膜のMOCVD成長と分光エリプソメトリ観察
英文:

著者

和文:	松川康成, 黒澤正敏, 伊藤誠吾､服部健雄, 小田俊理.
英文:	松川康成, 黒澤正敏, 伊藤誠吾､服部健雄, 小田俊理.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第48回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2001年

出版者

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会議名称

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開催地

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