Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:FETのゲート容量を考慮した1T2C型強誘電体メモリの新規書込み法の提案と動作解析 
英文: 
著者
和文: 山本修一郎, 石原宏.  
英文: 山本修一郎, 石原宏.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 
英文: 
巻, 号, ページ Vol. 2        pp. 544
出版年月 2002年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.