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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Dependence of drain current on gate oxide thickness of p-type vertical PtSi Schottky source/drain MOSFET 
著者
和文: M.Tsutsui, M.Asada.  
英文: M.Tsutsui, M.Asada.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Japan. J.Appl.Phys. 
巻, 号, ページ Vol. 41    No. 1    pp. 54-58
出版年月 2002年 
出版者
和文: 
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会議名称
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開催地
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英文: 

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