Beryllium doping for Ga<sub>&lt;small&gt;0.47&lt;/small&gt;</sub>In<sub>&lt;small&gt;0.53&lt;/small&gt;</sub>As/InP quantum wells by chemical beam epitaxy (CBE)

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Beryllium doping for Ga_{<small>0.47</small>}In_{<small>0.53</small>}As/InP quantum wells by chemical beam epitaxy (CBE)

著者

和文:	Takashi Uchida, Toshikazu Uchida, Noriyuki Yokouchi, 宮本智之, 小山二三夫, Kenichi Iga.
英文:	Takashi Uchida, Toshikazu Uchida, Noriyuki Yokouchi, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

vol. 30

出版年月

1991年7月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: