Photoluminescence characterization of Ga<sub>&lt;small&gt;x&lt;/small&gt;</sub>In<sub>&lt;small&gt;1-x&lt;/small&gt;</sub>As (0&lt;x&lt;0.32) strained quantum wells grown on InP by chemical beam epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Photoluminescence characterization of Ga_{<small>x</small>}In_{<small>1-x</small>}As (0<x<0.32) strained quantum wells grown on InP by chemical beam epitaxy

著者

和文:	Takashi Uchida, Toshikazu Uchida, Noriyuki Yokouchi, 宮本智之, 小山二三夫, Kenichi Iga.
英文:	Takashi Uchida, Toshikazu Uchida, Noriyuki Yokouchi, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Crystal Growth

巻, 号, ページ

vol. 120

出版年月

1992年12月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: