Critical layer thickness of 1.2-μm highly strained GaInAs/GaAs quantum wells

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Critical layer thickness of 1.2-μm highly strained GaInAs/GaAs quantum wells

著者

和文:	Dietmar Schlenker, 宮本智之, Zhibiao Chen, Masao Kawaguchi, 近藤崇, Eric Gouardes, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	Dietmar Schlenker, Tomoyuki Miyamoto, Zhibiao Chen, Masao Kawaguchi, Takashi Kondo, Eric Gouardes, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Crystal Growth

巻, 号, ページ

vol. 221 pp. 503-508

出版年月

2000年12月

出版者

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会議名称

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開催地

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