Formation of GaN nanopillars by selective area growth using ammonia gas source molecular beam epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Formation of GaN nanopillars by selective area growth using ammonia gas source molecular beam epitaxy

著者

和文:	Koji Kawasaki, Ikuo Nakamura, Hideki Hirayama, Kauo Tsutsui, Yoshinobu Aoyagi.
英文:	Koji Kawasaki, Ikuo Nakamura, Hideki Hirayama, Kauo Tsutsui, Yoshinobu Aoyagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of Crystal Growth

巻, 号, ページ

Vol. 243 pp. 129-133

出版年月

2002年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: