Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:InGaP/InGaAs/GaAs High Electron Mobility Transistor Structure Grown by Solid Source MBE using GaP 
著者
和文: A. SANDHU, M. Missous, A. A. Aziz.  
英文: A. SANDHU, M. Missous, A. A. Aziz.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Jpn Jnl. Appl. Phys. Lett. 
巻, 号, ページ Vol. 36        pp. L647-L650
出版年月 1997年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.