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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:“Part IV, The FET-type FeRAM”, Ferroelectric Random Access Memories - Fundamentals and Applications, eds. by H.Ishiwara, M.Okuyama, and Y.Arimoto 
著者
和文: H.Ishiwara.  
英文: H.Ishiwara.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Springer-Verlag 
巻, 号, ページ         pp. 233-251
出版年月 2004年 
出版者
和文: 
英文:Springer-Verlag 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 

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