Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:“Part I, Novel Si-substituted ferroelectric films”, Ferroelectric Random Access Memories - Fundamentals and Applications, eds. by H.Ishiwara, M.Okuyama, and Y.Arimoto 
著者
和文: T.Kijima, H.Ishiwara.  
英文: T.Kijima, H.Ishiwara.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Springer-Verlag 
巻, 号, ページ         pp. 17-30
出版年月 2004年 
出版者
和文: 
英文:Springer-Verlag 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.