High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO4 channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO4 channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering

著者

和文:	Hisato Yabuta, Masafumi Sano, Katsumi Abe, Toshiaki Aiba, Tohru Den, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono.
英文:	Hisato Yabuta, Masafumi Sano, Katsumi Abe, Toshiaki Aiba, Tohru Den, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Appl. Phys. Lett.

巻, 号, ページ

Vol. 89 pp. 112123-1 - 3

出版年月

2006年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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