FinFETのゲート-ソース/ドレイン間寄生効果の素子形状依存性 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	FinFETのゲート-ソース/ドレイン間寄生効果の素子形状依存性
英文:

著者

和文:	小林勇介, Hariharan Venkatnarayan, 角島邦之, 筒井一生, 岩井　洋, Rao Ramgopal.
英文:	小林勇介, Hariharan Venkatnarayan, 角島邦之, 筒井一生, 岩井　洋, Rao Ramgopal.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 2 pp. 934

出版年月

2006年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第53回応用物理学関係連合講演会
英文:

開催地

和文:	東京
英文:

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