Sub-100 nm High-k MOSFETの高周波歪み特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	Sub-100 nm High-k MOSFETの高周波歪み特性
英文:

著者

和文:	中川昌幸, 吉崎智史, 宋　在烈, 張　偉源, 奈良安雄, 安平光雄, 大塚文雄, 有門経敏, 中村邦雄, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 青木　均, 岩井　洋.
英文:	中川昌幸, 吉崎智史, 宋　在烈, 張　偉源, 奈良安雄, 安平光雄, 大塚文雄, 有門経敏, 中村邦雄, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 青木　均, 岩井　洋.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 2 pp. 938

出版年月

2006年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第53回応用物理学関係連合講演会
英文:

開催地

和文:	東京
英文: