Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs

著者

和文:	Y. Kobayashi, K.Tsutsui, K.Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P.Ahmet, H.Iwai.
英文:	Y. Kobayashi, K.Tsutsui, K.Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P.Ahmet, H.Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	The Electrochemical Society

巻, 号, ページ

Vol. 6 No. 4 pp. 83-87

出版年月

2007年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	ECS 211th Meeting

開催地

和文:
英文:	Chicago, U.S.A.

DOI