III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi・Ge n-MOSFETの電流駆動力の比較 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi・Ge n-MOSFETの電流駆動力の比較
英文:

著者

和文:	高木信一, 杉山正和, 菅原聡.
英文:	高木信一, 杉山正和, SATOSHI SUGAHARA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第54回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

p. 27a-SC-11

出版年月

2007年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,
英文:

開催地

和文:
英文:

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