(110)面SiGe/SOI構造の酸化濃縮による(110)GOI基板の作製 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	(110)面SiGe/SOI構造の酸化濃縮による(110)GOI基板の作製
英文:

著者

和文:	Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一.
英文:	Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 31p-ZG-15

出版年月

2006年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	第67回応用物理学会学術講演会, 草津,

開催地

和文:
英文:

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