ポストメタライゼーションアニールを用いたLa2O3-MISFETの移動度向上に関する検討

論文・著書情報

タイトル

和文:	ポストメタライゼーションアニールを用いたLa2O3-MISFETの移動度向上に関する検討
英文:	A Study on Mobility Recovery of La2O3-MISFET by Post Metallization Annealing

著者

和文:	舘喜一, 黒木裕介, 黄仁安, 角嶋邦之, 杉井信之, 筒井一生, 岩井洋.
英文:	K.Tachi, Y.Kuroki, J.A.Ng, K.Kakushima, N.Sugii, K.Tsutsui, H.Iwai.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	応用物理学会
英文:

巻, 号, ページ

No. 2 pp. 688

出版年月

2005年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第66回応用物理学会
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開催地

和文:	徳島市
英文: