Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Gain-Bandwidth Limitations of 0.18um Si-CMOS RF Technology 
著者
和文: YARMAN BEKIR SIDDIK BINBOGA, ニコデムス レディアン, 高木茂孝, 藤井 信生.  
英文: Siddik Yarman, Nicodimus Retdian, Shigetaka Takagi, Nobuo Fujii.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Proceedings of 2007 European Conference on Circuit Theory and Design 
巻, 号, ページ Vol. CDROM        pp. 264-267
出版年月 2007年8月 
出版者
和文: 
英文:IEEE 
会議名称
和文: 
英文:European Conference on Circuit Theory and Design 
開催地
和文: 
英文:Sevilla, Spain 
アブストラクト In this paper, gain bandwidth limitations of a regularly processed 0.18um Si CMOS FET is investigated over the frequency band of 450MHz-10GHz. It is exhibited that 0.18um Si CMOS processing technology can safely be utilized to manufacture Ultra Wideband RF-Amplifiers for commercial wireless communication systems placed on a single chip up to X-Band.

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.