Improvement of Interface Properties of W/La2O3/Si MOS Structure Usin AI Capping Layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improvement of Interface Properties of W/La2O3/Si MOS Structure Usin AI Capping Layer

著者

和文:	舘喜一, 角嶋邦之, AHMET PARHAT, 筒井一生, N.Sugii, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	K.Tachi, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, T.Hattori, H.Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	ECS Transactions

巻, 号, ページ

Vol. 11 No. 4 pp. 191-198

出版年月

2007年10月

出版者

和文:
英文:	The Electrochmical Society

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

DOI