GaNAs歪補償層を用いたInAs量子ドットのスペーサー層厚低減効果

論文・著書情報

タイトル

和文:	GaNAs歪補償層を用いたInAs量子ドットのスペーサー層厚低減効果
英文:	Effect on the suppression of spacer layer thickness of InAs quantum dots using GaNAs strain compensation layer

著者

和文:	鈴木亮一郎, 宮本智之, 小山二三夫.
英文:	Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2007年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第54回応用物理学関連連合講演会
英文:	The 54th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	神奈川
英文:	Kanagawa