Layer-thickness dependence in tunneling magnetoresistance and current-driven magnetization reversal using GaMnAs-based double-barrier structures

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Layer-thickness dependence in tunneling magnetoresistance and current-driven magnetization reversal using GaMnAs-based double-barrier structures

著者

和文:	M. Watanabe, H. Toyao, 岡林潤, T. Yamaguchi, 吉野淳二.
英文:	M. Watanabe, H. Toyao, Jun Okabayashi, T. Yamaguchi, Junji YOSHINO.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Physica E

巻, 号, ページ

Vol. 40 p. 335

出版年月

2007年12月

出版者

和文:
英文:

会議名称

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英文:

開催地

和文:
英文:

DOI