Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

著者

和文:	山本修一郎, 菅原聡.
英文:	Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 48 No. 4 pp. 043001-1-7

出版年月

2009年4月

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

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