Laシリケート層を界面に用いたhigh-k/Si MOS構造の電気特性検討

論文・著書情報

タイトル

和文:	Laシリケート層を界面に用いたhigh-k/Si MOS構造の電気特性検討
英文:

著者

和文:	宋在烈, 舘喜一, 岡本晃一, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Jaeyeol Song, Kiichi Tachi, Koichi Okamoto, Kuniyuki KAKUSHIMA, Parhat Ahmet, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	春季第55回応用物理学会学術講演会予稿集
英文:

巻, 号, ページ

No. 2 pp. 849

出版年月

2008年3月

出版者

和文:	応用物理学会
英文:

会議名称

和文:	春季第55回応用物理学会学術講演会
英文:

開催地

和文:	日本大学
英文: