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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Nonvolatile Static Random Access Memory (NV-SRAM) Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture 
著者
和文: 山本 修一郎, 菅原 聡.  
英文: S. Yamamoto, S. Sugahara.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Jpn. J. Appl. Phys. 
巻, 号, ページ vol. 48    no. 4    pp. 043001/1-7
出版年月 2009年 
出版者
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会議名称
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開催地
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