Origins of threshold voltage shifts in room-temperature deposited and annealed a-In–Ga–Zn–O thin-film transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Origins of threshold voltage shifts in room-temperature deposited and annealed a-In–Ga–Zn–O thin-film transistors

著者

和文:	Kenji Nomura, 神谷利夫, Masahiro Hirano, 細野秀雄.
英文:	Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Appl. Phys. Lett.

巻, 号, ページ

vol. 95 pp. 013502-1 - 3

出版年月

2009年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: